Le Mitsubishi CM800DZB-34N est un module IGBT haute performance conçu pour répondre aux demandes d'applications industrielles qui nécessitent une commutation d'énergie fiable et efficace.Le module intègre deux IGBT et deux diodes de roue libre dans un seul package, améliorant les performances et l'efficacité.Construit avec une plaque de base ALSIC pour une conductivité thermique optimale, le CM800DZB-34N assure un fonctionnement fiable même sous des charges lourdes et des températures extrêmes, ce qui en fait un choix préféré pour les industries nécessitant des solutions de contrôle de puissance robustes.
Catalogue
Le CM800DZB-34N est un module IGBT haute performance conçu pour exiger des applications industrielles.Avec une tension de 1700 V et une capacité de courant de 800A, il est idéal pour les tâches de commutation de haute puissance dans des systèmes tels que les lecteurs moteurs, les onduleurs de puissance et les solutions d'énergie renouvelable.Ce module intègre deux IGBT et deux diodes en roue libre dans un seul package, garantissant des performances efficaces et fiables.L'utilisation d'une plaque de base ALSIC de haute qualité améliore sa conductivité thermique, garantissant une dissipation de chaleur efficace même sous des charges lourdes.Sa large plage de température de fonctionnement de -40 ° C à + 150 ° C lui permet de fonctionner de manière fiable dans des environnements difficiles.Équipé de la technologie CSTBT ™ Trench Gate, il offre des capacités de commutation rapides tout en minimisant les pertes de puissance.Le CM800DZB-34N est un choix préféré pour les industries nécessitant des solutions de contrôle de l'énergie robustes et efficaces.Pour les commandes en vrac, contactez-nous maintenant et sécurisez votre approvisionnement de ces modules de haute qualité.
Le CM800DZB-34N est fabriqué par Mitsubishi Electric Corporation, dont le siège est à Tokyo, au Japon, est un leader mondial de la fabrication d'équipements électriques et électroniques.Créée en 1921, la société est un membre principal du groupe Mitsubishi, réputé pour son innovation et son engagement envers la qualité.Le vaste portefeuille de produits de Mitsubishi Electric s'étend sur diverses industries, y compris les systèmes de climatisation, les ascenseurs, l'automatisation d'usine et les semi-conducteurs de puissance.
• Tension collectionneur-émetteur : Le module est évalué pour une tension collective-émetteur maximale de 1700 V, ce qui le rend adapté aux applications industrielles à haute tension.
• Courant de collecteur: Il prend en charge un courant de collecteur continu de 800A et un courant d'impulsion allant jusqu'à 1600A, offrant des performances fiables pour les applications d'alimentation à haute demande.
• Tension à la porte: La tension porte-émetteur est évaluée à ± 20 V, offrant une flexibilité pour les exigences de conduite des portes et garantissant un fonctionnement sûr dans les limites spécifiées.
• Dissipation de puissance maximale: Le module peut dissiper jusqu'à 5200 W de puissance, conçu pour gérer efficacement les niveaux de puissance significatifs tout en réduisant la contrainte thermique.
• Tension d'isolement: Avec une tension d'isolement de 4000 VRM, le module assure l'isolement électrique entre les circuits de contrôle et de puissance, améliorant l'immunité de sécurité et de bruit.
• Plage de température de fonctionnement: Le module fonctionne efficacement dans une large plage de températures de -40 ° C à + 150 ° C, assurant la fiabilité dans des environnements industriels variés.
• Type de package: Ce module dispose d'un ensemble isolé qui fournit une isolation électrique entre le module et le dissipateur thermique, simplifiant la conception du système et améliorant la sécurité.
• Matériau de plateau de base: Il utilise une plaque de base ALSIC, offrant une excellente conductivité thermique pour une dissipation de chaleur efficace, aidant à maintenir des températures de fonctionnement optimales.
• Technologie des portes
: Ce module utilise la technologie CSTBT ™, améliorant les performances de commutation et réduisant les pertes de conduction, ce qui améliore l'efficacité globale du système.
• Type de diode: Le module dispose de diodes de récupération inverse douce, minimisant les pertes de commutation et réduisant l'interférence électromagnétique, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation à grande vitesse.
• JEentraînements moteurs nuster: Utilisé dans le contrôle des moteurs de haute puissance, assurant un fonctionnement efficace dans des applications telles que les convoyeurs, les pompes et les ventilateurs.
• Onduleur de puissance: Employé dans la conversion de CC en alimentation AC dans des systèmes tels que des alimentations d'alimentation sans interruption (UPS) et des alimentations industrielles.
• Systèmes d'énergie renouvelable: Intégrée dans les onduleurs solaires et autres applications d'énergie renouvelable nécessitant des capacités de manipulation élevée.
• Trame de traction: Utilisé dans les locomotives électriques et autres systèmes de transport pour conduire efficacement les moteurs de traction.
• Convertisseurs / onduleurs de haute fiabilité: Mise en œuvre dans les applications exigeant une grande fiabilité et des performances, telles que l'automatisation industrielle et la robotique.
• Choppers DC: Appliqué dans les convertisseurs DC-DC pour la régulation de la tension et la gestion de l'alimentation dans divers systèmes électroniques.

Ce diagramme représente une configuration couramment trouvée dans les modules IGBT (transistor bipolaire de porte isolés), tels que le CM800DZB-34N.Il se compose de Deux composants IGBT (montré dans le diagramme avec les lettres E, C, G) avec Diodes intégrées en roue libre.Chaque IGBT a un Porte (G), collectionneur (c), et émetteur (e) terminaux.Les diodes en roue libre (marquées au centre) sont connectées parallèles aux trajets collecteurs-émetteur, permettant le flux de courant dans la direction opposée pour protéger le module de l'EMF arrière (force électromotive) dans les applications d'entraînement moteur.Cette configuration garantit que le module peut manipuler, Commutation à courant élevé Applications avec des pertes de commutation minimales, ce qui le rend idéal pour l'électronique d'alimentation industrielle tels que les lecteurs moteurs et les onduleurs.

Ce module mesure 130 mm de largeur et 140 mm de hauteur, avec une norme Espacement de 57 mm entre les trous de montage pour les noix M4.Il existe également quatre trous de montage M8 positionnés pour assurer une fixation sécurisée pendant l'installation, fournissant un positionnement stable dans le système.Le diagramme comprend une profondeur de dégagement d'au moins 16,5 mm, garantissant un ajustement approprié dans l'assemblage.
Au bas du module, le dessin spécifie une zone d'étiquetage avec des dimensions de 35 mm de largeur et 14 mm de hauteur, Probablement à des fins d'identification et de numéro de pièce.Les dimensions globales et les positions des trous sont soigneusement conçues pour assurer la compatibilité avec les configurations de montage standard utilisées dans les applications de puissance industrielle, assurant une installation efficace et un montage sécurisé du module d'alimentation.
Avantages
•Haute tension et capacité de courant: Avec une tension de 1700 V et une capacité de courant de 800A (continu), le CM800DZB-34N est idéal pour exiger des applications de haute puissance, telles que les lecteurs moteurs industriels et les onduleurs de puissance.
• Dissipation de puissance efficace: Le module peut gérer jusqu'à 5200 W de dissipation de puissance, ce qui permet de réduire la contrainte thermique et d'améliorer la fiabilité dans les applications à haute charge.
•Large plage de température de fonctionnement: Il peut fonctionner à des températures de -40 ° C à + 150 ° C, garantissant la fiabilité dans des environnements industriels durs.
•Performances de commutation rapide: Avec une technologie CSTBT ™ (transistor bipolaire de la porte de tranchée transportée), il offre des capacités de commutation rapides, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité globale.
•Excellente gestion thermique: La plaque de base ALSIC offre une excellente conductivité thermique, assurant une dissipation de chaleur efficace pendant le fonctionnement.
•Isolement pour la sécurité: L'ensemble isolé assure l'isolement électrique entre le module et le dissipateur de chaleur, améliorant la sécurité et simplifiant l'intégration du système.
Désavantage
•Exigences de refroidissement complexes
: En raison de sa dissipation élevée, le module peut nécessiter des solutions de refroidissement avancées dans certaines applications de haute puissance pour empêcher la surchauffe.
•Taille et intégration: En tant que module IGBT haute puissance, sa taille et sa complexité d'intégration peuvent ne pas convenir aux systèmes plus petits ou compacts.
•Prix: Les modules à haute performance comme le CM800DZB-34N peuvent être coûteux par rapport aux modules IGBT moins élevés, qui peuvent ne pas être idéaux pour les projets soucieux du budget.
• Sensible aux pointes de tension: Comme d'autres dispositifs à haute tension, le module est sensible aux pointes ou surtensions de tension, ce qui peut nécessiter une protection supplémentaire dans certains circuits.
Nom du paramètre
et symbole
|
Condition
|
Valeur et
Unité
|
Tension collector-émetteur (VCés)
|
Vge = 0v, tj = 25 ° C
|
1700 V
|
Tension à la porte-émetteur (VGesme)
|
VCE = 0V, TJ = 25 ° C
|
± 20 V
|
Courant de collecteur (iC)
|
DC, TC = 80 ° C
|
800 A
|
Courant de collecteur (iCm)
|
Impulsion
|
1600 A
|
Courant émetteur (iE)
|
Dc
|
800 A
|
Courant émetteur (iEm)
|
Impulsion
|
1600 A
|
Dissipation de puissance maximale (pC)
|
TC = 25 ° C, partie IGBT
|
5200 W
|
Tension d'isolement (VISO)
|
RMS, sinusoïdal, f = 60Hz, t = 1 min
|
4000 V
|
Température de la jonction (tJ)
|
-
|
-40 ~ + 150 ° C
|
Température de fonctionnement (tfaire un coup de pouce)
|
-
|
-40 ~ + 125 ° C
|
Température de stockage (tstg)
|
-
|
-40 ~ + 125 ° C
|
Largeur d'impulsion de court-circuit maximum (tPSC)
|
VCC = 1000V, VCE ≤ VCES, VGE = 15V, TJ =
125 ° C
|
10 µs
|
Caractéristiques électriques
PARAMÈTRE
Nom et symbole
|
CONDITION
|
Limites
|
Unités
|
Min
|
Taper
|
Max
|
Courant de coupure du collecteur (iCés)
|
Vce = vces, vge = 0v
|
TJ = 25 ° C
|
-
|
-
|
3
|
mame
|
TJ = 25 ° C
|
-
|
2.5
|
6
|
Tension de seuil de mise à la porte (VGe (th))
|
VCE = 10V, IC = 80MA, TJ = 25 ° C
|
5.5
|
6.5
|
7.5
|
V
|
Courant de fuite de porte (iGesme)
|
Vge = vges, vces = 0v, tj = 25 ° C
|
-
|
-
|
0,5
|
µA
|
Capacité d'entrée (cies)
|
Vce = 10v, vge = 0v, f = 100 kHz, tj =
25 ° C
|
-
|
132
|
-
|
NF
|
Capacité de sortie (coes)
|
-
|
7.2
|
-
|
NF
|
Capacité de transfert inverse (cres)
|
-
|
2.1
|
-
|
NF
|
Charge totale de porte (qg)
|
VCC = 900 V, IC = 800 A, VGE = ± 15V, TJ
= 25 ° C
|
-
|
9.1
|
-
|
µC
|
Tension de saturation collector-émetteur (VCE (SAT))
|
IC = 800 A, VGE = 15V, TJ = 25 ° C
|
TJ = 25 ° C
|
-
|
2.10
|
2.70
|
V
|
TJ = 125 ° C
|
-
|
2.35
|
-
|
Temps de retard d'activation (tenfiler))
|
VCC = 900 V, IC = 800 A, VGE = ± 15V,
Rg (on) = 1,6 Ω, TJ = 125 ° C, LS = 150 NH
Charge inductive
|
-
|
-
|
1,50
|
µs
|
Temps de montée en activité (tr)
|
-
|
-
|
0,60
|
µs
|
Énergie de commutation d'activation (Esur (10%))
|
-
|
0,30
|
-
|
J / p
|
Temps de retard d'arrêt (tenlever))
|
VCC = 900 V, IC = 800 A, VGE = ± 15V,
Rg (on) = 1,6 Ω, TJ = 125 ° C, LS = 150 NH
Charge inductive
|
-
|
|
3,00
|
µs
|
Temps d'automne d'arrêt (tf)
|
-
|
|
0,60
|
µs
|
Énergie de commutation d'arrêt (EOff (10%))
|
-
|
0.20
|
-
|
J / p
|
Tension d'émetteur-collecteur (VCE)
|
Ic = 800 a, vge = 0v
|
TJ = 25 ° C
|
-
|
2.20
|
3,00
|
V
|
TJ = 125 ° C
|
-
|
1.85
|
-
|
Temps de récupération inversé (trr)
|
VCC = 900 V, IC = 800 A, VGE = ± 15V,
Rg (on) = 1,6 Ω, TJ = 125 ° C, LS = 150 NH
Charge inductive
|
-
|
-
|
1,50
|
µs
|
Charge de récupération inversée (qrr)
|
-
|
260
|
-
|
µC
|
Énergie de récupération inversée (ERec (10%))
|
-
|
0,18
|
-
|
J / p
|
Caractéristiques thermiques
PARAMÈTRE
Nom et symbole
|
CONDITION
|
Valeur et
UNITÉ
|
Résistance thermique (Rth (j-c) q)
|
Jonction vers le boîtier, 1/2 module
|
24,0 k / kW
|
Résistance thermique (Rth (j-c) r)
|
Jonction vers le boîtier, 1/2 module
|
36,0 k / kW
|
Contactez la résistance thermique (Rth (c-f))
|
Cas à Fin, graisse appliquée = 1W / M · K, D (C-F)
= 100 μm, 1/2 module
|
18,0 k / kW
|
Caractéristiques mécaniques
PARAMÈTRE
Nom et symbole
|
CONDITION
|
Limites
|
Unité
|
Min
|
Taper
|
Max
|
Couple de montage (mt)
|
M8: vis principaux à bornes
|
7.0
|
-
|
13.0
|
N.m
|
Couple de montage (ms)
|
M6: Vis de montage
|
3.0
|
-
|
6.0
|
N.m
|
Couple de montage (mt)
|
M4: Vis des bornes auxiliaires
|
1.0
|
-
|
2.0
|
N.m
|
Masse (M)
|
-
|
-
|
1.0
|
-
|
kg
|
Index de suivi comparatif (CTI)
|
-
|
600
|
-
|
-
|
-
|
Déclaration (DA)
|
-
|
19.5
|
-
|
-
|
MM
|
Distance de chair de poule (DS)
|
-
|
32.0
|
-
|
-
|
MM
|
Inductance parasite parasite (Lp ce)
|
-
|
-
|
18
|
-
|
NH
|
Résistance au plomb interne (RCc ’+ ee’)
|
TC = 25 ° C
|
-
|
0,30
|
-
|
MΩ
|
• Surchauffe: Le refroidissement inadéquat ou les températures ambiantes élevées peuvent provoquer une surchauffe du module, qui peut être atténuée en assurant un bondage de chaleur et en utilisant des systèmes de refroidissement appropriés, ainsi que la surveillance de la température ambiante dans la plage de fonctionnement (-40 ° C à + 150 ° C).
• Pics de surtension ou de tension
: Les pointes de tension ou les transitoires peuvent endommager le module, et l'utilisation de circuits de snobber ou de dispositifs de serrage de tension peut aider à absorber les pointes et à garantir que la tension reste dans le 1700 V du module.
• Commutation de pertes: Les pertes de commutation élevées dans les applications à grande vitesse peuvent être réduites en optimisant les techniques de conduite des portes et en mettant en œuvre des résistances de grille pour contrôler la vitesse de commutation et minimiser les pertes.
• Circuit d'entraînement de porte défectueux: Un circuit d'entraînement de porte défectueux peut provoquer une commutation incorrecte, ce qui peut être évité en garantissant une conception appropriée du circuit d'entraînement de la porte, une résistance correcte de la porte et une maintenance régulière pour remplacer les composants défectueux.
• Dommage du module dû au court-circuit ou à la surintensité: Les conditions excessives de courant ou de court-circuit peuvent endommager le module, mais l'incorporation de circuits de protection comme les fusibles et les limiteurs de courant peut éviter de tels dommages.
• Déchange d'isolation: Au fil du temps, la dégradation de l'isolation peut provoquer des défauts électriques, qui peuvent être évités en assurant une bonne installation d'isolation, des inspections régulières et en maintenant le dissipateur de chaleur propre et exempt de contaminants.
• Interférence électromagnétique (EMI): La commutation à grande vitesse peut générer des EMI, qui peuvent être minimisés en utilisant un blindage approprié, des techniques de mise à la terre et des filtres EMI pour supprimer le bruit à haute fréquence.
CM1200DB-34N
CM1200DC-34N
CM1200E4C-34N
CM1200HA-34H
CM1200HB-50H
CM600DY-34H
Fonctionnalité
|
CM800DZB-34N
|
CM1200DB-34N
|
Cote de tension (VCES)
|
1700v
|
1700v
|
Évaluation actuelle (IC)
|
800A (continu), 1600a (pouls)
|
1200A (continu), 2400a (pouls)
|
Tension à la porte-émetteur (VGES)
|
± 20V
|
± 20V
|
Dissipation de puissance (PC)
|
5200W
|
7500W
|
Tension d'isolement (viso)
|
4000vrms
|
4000vrms
|
Plage de température de fonctionnement
|
-40 ° C à + 150 ° C
|
-40 ° C à + 150 ° C
|
Type de package
|
Isolé
|
Isolé
|
Matériau de plateau de base
|
ALSIC (carbure de silicium en aluminium)
|
ALSIC (carbure de silicium en aluminium)
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Technologie des portes
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CSTBT ™ (porte de tranchée stockée du transporteur
Transistor bipolaire)
|
CSTBT ™ (porte de tranchée stockée du transporteur
Transistor bipolaire)
|
Type de diode
|
Diode de récupération inverse douce
|
Diode de récupération inverse douce
|
Type de module
|
Module IGBT
|
Module IGBT
|
Poids
|
Env.4,8 kg
|
Env.6,2 kg
|
Dimensions
|
227 mm x 138 mm x 62 mm
|
253 mm x 155 mm x 75 mm
|
Applications
|
Drives moteurs industriels, puissance
Onduleurs, systèmes d'énergie renouvelable
|
Drives moteurs industriels, puissance
Onduleurs, systèmes de traction, systèmes d'énergie renouvelable
|
Le module IGBT CM800DZB-34N de Mitsubishi Electric offre une solution fiable pour les applications de haute puissance dans les lecteurs moteurs industriels, les onduleurs de puissance et les systèmes d'énergie renouvelable.Bien que le module soit livré avec quelques défis, tels que des exigences de refroidissement complexes et une taille plus grande, ses capacités robustes en font un choix idéal pour les applications à haute demande.Pour ceux qui recherchent des solutions de contrôle de puissance de haute qualité, le CM800DZB-34N fournit les performances et la fiabilité nécessaires.
Fiche technique PDF
CM800DZB-34N
CM800DZB-34N Détails PDF
CM800DZB-34N Détails PDF pour FR.PDF
CM800DZB-34N Détails PDF pour KR.PDF
CM800DZB-34N Détails PDF pour it.pdf
CM800DZB-34N Détails PDF pour ES.PDF
CM800DZB-34N Détails PDF pour de.pdf
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