Le 7MBP150VEA120-50 est un module IGBT haute performance développé par Fuji Electric, conçu pour fournir une commutation électrique efficace pour une large gamme d'applications industrielles.Ce module intègre des caractéristiques de protection avancées, notamment des protections de surintensité, de court-circuit et de surchauffe, garantissant la fiabilité et la durabilité dans les systèmes critiques.Sa conception compacte et ses capacités de fréquence de commutation élevée en font un excellent choix pour les applications qui nécessitent un contrôle de puissance précis et rapide.
Catalogue
Le 7MBP150VEA120-50 est un module IGBT haute performance de Fuji Electric, conçu pour exiger des applications industrielles.Avec une tension de 1200 V et une capacité de courant de 150A, il offre une commutation de puissance efficace pour les applications nécessitant un contrôle robuste.Ce module est idéal pour une utilisation dans les systèmes de contrôle des moteurs, les onduleurs industriels, les entraînements d'ascenseur et les alimentations sans interruption (UPS).Il possède des caractéristiques de protection avancées, y compris la protection contre les surintensités (225A pour les onduleurs), la protection de court-circuit avec un délai de 2 à 3 µs et la protection de surchauffe avec un seuil de 150 ° C.Avec une résistance thermique de 0,160 ° C / W pour IGBT et 0,235 ° C / W pour FWD, le 7MBP150VEA120-50 prend en charge les fréquences de commutation élevées jusqu'à 20 kHz, garantissant un fonctionnement rapide et fiable.La conception compacte de ce module et une grande efficacité en font un choix supérieur pour l'électronique de puissance industrielle.
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Le 7MBP150VEA120-50 est fabriqué parFuji Electric Co., Ltd., Une société japonaise renommée établie en 1923. Basée à Tokyo, Fuji Electric, est spécialisée dans les équipements électriques et électroniques, en se concentrant sur des domaines tels que les semi-conducteurs de puissance, la gestion de l'énergie, l'automatisation industrielle et les infrastructures sociales.La division Power Semiconductor de Fuji Electric est un leader mondial, offrant une gamme complète de produits, notamment des IGBT, des MOSFET, des diodes et des ICS de contrôle de l'alimentation électrique.
• Perte de puissance faible et commutation souple: Optimisé pour une perte d'énergie minimale et une commutation efficace.
• Protection contre la surchauffe: Surveille la température de la jonction pour éviter les dommages thermiques.
• Haute fiabilité: Construit pour une durabilité à long terme dans des environnements exigeants.
• Circuits de protection intégrés: Comprend des protections de surintensité, de court-circuit et de sous-tension.
• Fréquence de commutation élevée: Prend en charge jusqu'à 20 kHz pour les temps de réponse rapides.
• Conception compacte: Pèse environ 940 g, facilitant les installations d'économie d'espace.
• Température de fonctionnement large: Fonctionnel entre -20 ° C et 110 ° C
• Onduleur industriel: Utilisé dans des machines nécessitant un contrôle de vitesse variable, telles que les pompes, les ventilateurs et les compresseurs.
• Cales de l'ascenseur: Assure un fonctionnement lisse et fiable dans les systèmes de transport vertical.
• Alimentations d'alimentation sans interruption (UPS): Fournit une puissance de sauvegarde dans les systèmes critiques, en maintenant la stabilité pendant les pannes.
• Systèmes de contrôle des moteurs: Facilite un contrôle précis dans diverses applications moteur.
• Systèmes d'énergie renouvelable: Incorporé dans les onduleurs solaires et éoliens pour une conversion efficace d'énergie.
• Systèmes CVC: Améliore les performances des unités de chauffage, de ventilation et de climatisation.
• Appareils de consommation: Améliore l'efficacité énergétique dans les appareils électroménagers.
• Systèmes ferroviaires: Prend en charge la conversion de puissance dans les trains électriques et les infrastructures connexes.
•
Véhicules électriques (véhicules électriques): Utilisé dans les groupes motopropulseurs pour une gestion efficace de l'énergie.

Ce diagramme décrit la structure du module IGBT 7MBP150VEA120-50, montrant diverses connexions et composants, y compris le sections pré-pilotes, résistances, et Divers bornes (P1, P2, U, V, W, B, N1, N2).Ces composants sont généralement conçus pour Gérer le pouvoir et Traitement du signal, guider le flux entre les étapes d'entrée et de sortie du module.Les pré-conducteurs du diagramme jouent probablement un rôle dans le contrôle des signaux de porte, fournissant les signaux de commutation nécessaires aux transistors pour fonctionner efficacement et en toute sécurité.

Ce diagramme met en évidence les dimensions globales du module 7MBP150VEA120-50, qui mesure 142 mm de longueur, 92,5 mm de largeur, et 36,5 mm de hauteur.Il présente des vues du haut, du côté et de l'avant, détaillant les positions de diverses broches, trous de vis et caractéristiques clés nécessaires au montage.
Le diagramme comprend Positions PIN spécifiques telles que P1 et P2, qui sont utilisés pour les connexions électriques comme l'entrée d'alimentation et la sortie.De plus, les positions N1 et n2 sont marqués pour les autres voies électriques dans le module.Des étiquettes telles que U, w et b Indiquez d'autres connexions intégrales au fonctionnement du module.Le trous à vis, clairement marqué sur le plan, sont importants pour sécuriser le module pendant l'installation, avec des dimensions précises fournies pour garantir que les vis correctes sont utilisées.Les ailettes de refroidissement sont indiquées au bas du module, conçues pour faciliter une dissipation de chaleur efficace, ce qui est important pour les performances du module dans des applications haute puissance.
Articles
|
Symbole
|
Min
|
Max
|
Unités
|
Collectionneur-émetteur
Tension
|
VCés
|
0
|
1200
|
V
|
Tension de court-circuit
|
VSC
|
400
|
800
|
V
|
Onduleur
|
Courant de collecteur
|
Dc
|
jeC
|
-
|
150
|
UN
|
1 ms
|
jeCP
|
-
|
300
|
UN
|
Devoir = 100%
|
-JEC
|
-
|
150
|
UN
|
Puissance de collection
Dissipation
|
1device
|
PC
|
-
|
781
|
W
|
Frein
|
Courant de collecteur
|
Dc
|
jeC
|
-
|
75
|
UN
|
1 ms
|
jeCP
|
-
|
150
|
UN
|
Diode de courant vers l'avant
|
jeF
|
-
|
75
|
UN
|
Puissance de collection
Dissipation
|
1 appareil
|
PC
|
-
|
520
|
W
|
Tension d'alimentation de
Pré-pilote
|
VCC
|
-0,5
|
20
|
V
|
Tension du signal d'entrée
|
Vin
|
-0,5
|
VCC+0,5
|
V
|
Tension du signal d'alarme
|
VAlm
|
-0,5
|
VCC
|
V |
Courant du signal d'alarme
|
jeAlm
|
-
|
20
|
mame |
Température de jonction
|
TJ
|
-
|
150
|
° C
|
Cas d'exploitation
Température
|
Topr
|
-20
|
110
|
° C
|
Température de stockage
|
Tstg
|
-40
|
125
|
° C
|
Température de soudure
|
Tsol
|
-
|
260
|
° C
|
Tension isolante
|
Viso
|
-
|
AC2500
|
VRMS
|
Couple à vis
|
Terminal (M5)
|
-
|
-
|
3.5
|
Nm
|
Montage (M5)
|
Caractéristiques électriques
Articles
|
Symbole
|
Conditions
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
Unités
|
Onduleur
|
Courant du collecteur à l'entrée du signal OFF
|
jeCés
|
VCE = 1200 V
|
-
|
-
|
1.0
|
mame
|
Collecteur - tension de saturation émetteur
|
VCE (SAT)
|
IC = 150A
|
Terminal
|
-
|
|
2.20
|
V
|
Ébrécher
|
-
|
1.70
|
-
|
V
|
Tension avant de FWD
|
VF
|
Si = 150A
|
Terminal
|
-
|
-
|
2.70
|
V
|
Ébrécher
|
-
|
2.10
|
-
|
V
|
Frein
|
Courant du collecteur à l'entrée du signal OFF
|
jeCés
|
VCC = 1200 V
|
-
|
-
|
1.0
|
mame
|
Collecteur - tension de saturation émetteur
|
VCE (SAT)
|
IC = 75A
|
Terminal
|
-
|
-
|
2.15
|
V
|
Ébrécher
|
-
|
1.70
|
-
|
V
|
Tension avant de FWD
|
VF
|
Si = 75a
|
Terminal
|
-
|
-
|
3,00
|
V
|
Ébrécher
|
-
|
2.45
|
-
|
V
|
Temps de commutation
|
Tsur
|
VDC = 600V, TJ = 125 ° C
IC = 150A
|
1.1
|
-
|
-
|
µs
|
Tdésactivé
|
-
|
-
|
2.1
|
µs
|
trr
|
VDC = 600V
IC = 150A
|
-
|
-
|
0.3
|
µs
|
Courant d'alimentation du pré-pilote en P (par unité)
|
ICCP
|
Fréquence de commutation = 0-15 kHz, TC = 20 - 110 ° C
|
-
|
-
|
35
|
mame
|
Fournir le courant sur le pré-pilote à face n
|
ICCN
|
-
|
-
|
124
|
mame
|
Tension de seuil de signal d'entrée
|
Vinthe (ON)
|
Vin - GND
|
SUR
|
1.2
|
1.4
|
1.6
|
V
|
Vinthe (off)
|
DÉSACTIVÉ
|
1.5
|
1.7
|
1.9
|
V
|
Sur le niveau de protection actuel
|
Onduleur
|
jeOC
|
TJ = 125 ° C
|
225
|
-
|
-
|
UN
|
Frein
|
113
|
-
|
-
|
UN
|
Temps de retard sur la protection actuelle
|
tdoc
|
TJ = 125 ° C
|
-
|
5
|
-
|
µs
|
Temps de retard de protection de court-circuit
|
tSC
|
TJ = 125 ° C
|
-
|
2
|
3
|
µs
|
Chips IGBT sur le niveau de température de protection du chauffage
|
TJoh
|
Surface des puces IGBT
|
150
|
-
|
-
|
° C
|
Hystérésis de protection contre le chauffage
|
TJh
|
-
|
-
|
20
|
-
|
° C
|
Sous le niveau de protection de tension
|
VUV
|
-
|
11.0
|
-
|
12.5
|
V
|
Sous l'hystérésis de la protection de la tension
|
VH
|
-
|
0,2
|
0,5
|
-
|
V
|
Temps de maintien du signal d'alarme
|
tAlm (OC)
|
Alm-gnd
TC = -20 à + 110 ° C
|
|
1.0
|
2.0
|
2.4
|
MS
|
tAlm (UV)
|
VCC ≥10V
|
2.5
|
4.0
|
4.9
|
MS
|
tAlm (tjoh)
|
|
5.0
|
8.0
|
11.0
|
MS
|
Résistance pour la limite de courant
|
RAlm
|
-
|
960
|
1265
|
1570
|
Ω
|
Caractéristiques thermiques
Articles
|
Symbole
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
Unités
|
Jonction vers la résistance thermique du boîtier
|
Onduleur
|
Igbt
|
Rth (j-c) q
|
-
|
-
|
0,160
|
° C / W
|
FWD
|
Rth (j-c) d
|
-
|
-
|
0,235
|
° C / W
|
Frein
|
Igbt
|
Rth (j-c) q
|
-
|
-
|
0,240
|
° C / W
|
FWD
|
Rth (j-c) d
|
-
|
-
|
0,500
|
° C / W
|
Cas à la résistance thermique à la nageoire avec composé
|
RTH (C-F)
|
-
|
0,05
|
-
|
° C / W
|
• Conversion de puissance efficace: Conçu pour une faible perte de puissance et une commutation douce, le module assure une conversion énergétique efficace, réduisant les coûts opérationnels.
• Caractéristiques de protection améliorées: Les protections intégrées comprennent la détection de surintensités (225A pour les onduleurs), la protection de court-circuit avec un délai de 2 à 3 µs et le verrouillage sous tension (11,0–12,5 V), la sauvegarde à la fois le module et l'équipement connecté.
• Gestion thermique: La protection de surchauffe intégrée avec un seuil de température de jonction de 150 ° C empêche les dommages thermiques, assurant une fiabilité à long terme.
• Fréquence de commutation élevée: Prend en charge les fréquences de commutation jusqu'à 20 kHz, permettant des temps de réponse rapides et un contrôle précis dans les applications dynamiques.
• Conception compacte et robuste: Pesant environ 940 g, la conception compacte du module facilite les installations d'économie d'espace sans compromettre la durabilité.
• Surchauffe: La dissipation de chaleur inadéquate due à une mauvaise gestion thermique peut être résolue en garantissant une installation appropriée avec une consommation de chaleur et un flux d'air adéquat et une inspecter régulièrement des systèmes de refroidissement.
• Activation de la protection des surintensités: Le courant de charge excessif au-delà de la capacité nominale du module peut être évité en vérifiant que la charge ne dépasse pas les spécifications du module et les paramètres du système d'ajustement en conséquence.
• Protection de court-circuit déclenché: Les courts-circuits inattendus dans la charge ou le câblage connecté peuvent être évités en inspectant et en rectifiant les courts-circuits et en assurant une isolation et une correction appropriés.
• Verrouillage sous tension: Une tension d'alimentation de commande de dépôt peut être atténuée en surveillant et en maintenant une tension d'alimentation de contrôle stable dans la plage spécifiée et en mettant en œuvre la régulation de tension si nécessaire.
• Dysfonctionnement du circuit d'entraînement de la porte: Les problèmes dans les circuits d'entraînement de la porte peuvent être résolus en vérifiant et en réparant le circuit d'entraînement de la porte tout en garantissant une intégrité et une synchronisation du signal appropriés pour une commutation fiable.
• Nproblèmes d'immunité: Interférence électromagnétique (EMI) affectant les performances des modules peut être réduite en mettant en œuvre des techniques appropriées de mise à la terre et de blindage et en utilisant des câbles de paire torsadés et des billes de ferrite pour minimiser le bruit.
• Temps mort insuffisant: Le temps mort inadéquat entre les événements de commutation menant à la pousse peut être résolu en ajustant les paramètres de temps mort pour assurer un intervalle suffisant entre les événements de commutation.
• Dommages à l'électricité statique: Le décharge électrostatique (ESD) pendant la manipulation ou l'installation peut être évité en suivant les protocoles de protection ESD appropriés et en utilisant des sangles et des postes de travail mis à la terre.
7MBP150RA120
6MBP150VEA120-50
7MBP100VEA120-50
7MBP150VDA060-50
7MBP150RA060-01
6MBP150RA120-05
Fonctionnalité
|
7MBP150VEA120-50
|
7MBP150RA120
|
Cote de tension
|
1200 V
|
1200 V
|
Note actuelle
|
150a
|
150a
|
Type de package
|
V série V (IPM)
|
Série RA (IPM)
|
Fréquence de commutation
|
Jusqu'à 20 kHz
|
Jusqu'à 20 kHz
|
Protection contre les surintensités
|
225A pour les onduleurs
|
225A pour les onduleurs
|
Protection contre la température
|
Seuil de température de jonction 150 ° C
|
Seuil de température de jonction 150 ° C
|
Résistance thermique (IGBT)
|
0,160 ° C / W
|
0,160 ° C / W
|
Résistance thermique (FWD)
|
0,235 ° C / W
|
0,235 ° C / W
|
Protection de court-circuit
|
2 à 3 µs de retard
|
2 à 3 µs de retard
|
Verrouillage sous tension
|
11.0–12,5 V
|
11.0–12,5 V
|
Méthode de refroidissement
|
Air forcé ou convection naturelle
|
Air forcé ou convection naturelle
|
Application
|
Contrôle du moteur, onduleurs, UPS, renouvelable
énergie
|
Contrôle du moteur, onduleurs, UPS, renouvelable
énergie
|
Poids
|
~ 940G
|
~ 940G
|
Plage de température de fonctionnement
|
-20 ° C à 110 ° C
|
-20 ° C à 110 ° C
|
Le module IGBT 7MBP150VEA120-50 par Fuji Electric offre une solution robuste et à haut rendement pour diverses applications industrielles, offrant des avantages clés tels que une conversion d'énergie efficace, des caractéristiques de protection avancée et une excellente gestion thermique.Qu'il soit utilisé dans le contrôle moteur, les systèmes d'énergie renouvelable ou les applications UPS, ce module assure la fiabilité et les performances optimales.Avec sa conception compacte et sa durabilité à long terme, le 7MBP150VEA120-50 est un choix supérieur pour ceux qui cherchent à améliorer l'efficacité et l'innocuité de leurs systèmes de conversion de puissance.
Fiche technique PDF
7MBP150VEA120-50
7MBP150VEA120-50 Détails PDF
7MBP150VEA120-50 Détails PDF pour KR.PDF
7MBP150VEA120-50 Détails PDF pour it.pdf
7MBP150VEA120-50 Détails PDF pour ES.PDF
7MBP150VEA120-50 Détails PDF pour de.pdf
7MBP150VEA120-50 Détails PDF pour FR.PDF
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