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ST et TSMC travaillent ensemble pour augmenter l'utilisation de GaN

Accélérer le développement et le lancement de solutions avancées de nitrure de gallium de puissance; tirer pleinement parti de l'expertise du marché automobile de ST et de la technologie de fabrication de renommée mondiale de TSMC; améliorer l'efficacité énergétique des produits à large bande interdite et rendre les applications de conversion de puissance plus économes en énergie

Le 24 février, STMicroelectronics et TSMC ont collaboré pour accélérer le développement de la technologie des procédés au nitrure de gallium (GaN) et la fourniture de dispositifs GaN discrets et intégrés. Grâce à cette collaboration, les produits stratégiques innovants en nitrure de gallium de ST utiliseront le processus de fabrication GaN leader de l'industrie de TSMC.

镓 Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite. Comparé aux semi-conducteurs de puissance au silicium traditionnels, il présente des avantages évidents. Par exemple, il a une efficacité énergétique plus élevée lorsque vous travaillez à haute puissance, ce qui réduit considérablement la perte de puissance parasite. La technologie GaN peut également concevoir des appareils plus compacts, offrant à l'application cible un meilleur facteur de forme. De plus, la vitesse de commutation des appareils au nitrure de gallium est 10 fois supérieure à celle des appareils au silicium et, en même temps, la température de fonctionnement maximale est plus élevée. Ces caractéristiques de matériaux robustes et solides rendent le nitrure de gallium très approprié pour les applications automobiles, industrielles, de télécommunications et 100% et 650 V en pleine croissance, ainsi que pour des applications spécifiques aux consommateurs et autres.

Plus précisément, par rapport à la technologie au silicium basée sur la même topologie, la technologie IC de nitrure de gallium et de nitrure de gallium de puissance permettra à STMicroelectronics de fournir aux clients de meilleures solutions écoénergétiques pour les applications de moyenne à haute puissance, y compris les véhicules hybrides et électriques. Convertisseur de puissance et chargeur. La technologie Power nitrure de gallium et de nitrure de gallium IC contribuera à promouvoir le développement rapide de l'électrification des voitures particulières et des véhicules utilitaires.

Marco Monti, président de Automotive and Discrete Devices, STMicroelectronics, a déclaré: "En tant que leader de l'industrie exigeante de la technologie des semi-conducteurs à large bande interdite et de l'industrie des semi-conducteurs de puissance, STMicroelectronics est optimiste quant à l'accélération du développement et de la livraison de la technologie des procédés au nitrure de gallium, l'énorme opportunité apportée par le lancement de produits de nitrure de gallium et de nitrure de gallium sur le marché. TSMC est un partenaire de fonderie de confiance, et seuls ils peuvent répondre aux exigences uniques de fiabilité et de planification de développement des clients cibles de ST. "Ce projet collaboratif complète notre capacité de production pour la production de nitrure de gallium de puissance en coopération avec le CEA-Leti dans l'usine de Tours, en France. GaN est la prochaine grande innovation dans le domaine de l'électronique de puissance et de la puissance intelligente et de la technologie des processus. "

«Nous sommes impatients de travailler avec STMicroelectronics pour apporter la technologie de l'électronique de puissance au nitrure de gallium aux applications de systèmes de conversion de puissance industriels et automobiles. L'expertise de pointe de TSMC en matière de fabrication de nitrure de gallium, combinée à la conception des produits ST et à la certification de qualité automobile, améliorera considérablement l'énergie l'efficacité de la conversion de puissance industrielle et automobile, la rendre plus économe en énergie et respectueuse de l'environnement, et aider à accélérer le processus d'électrification des automobiles. "

Il est rapporté que STMicroelectronics devrait livrer les premiers échantillons de dispositifs discrets de nitrure de gallium de puissance à des clients majeurs plus tard cette année, puis livrer des produits IC GaN dans quelques mois.