Le géant japonais des matériaux de semi-conducteurs Fujifilm Holdings a récemment déclaré qu'il évaluerait activement la possibilité d'investir dans la fondation nouvellement établie Rapidus.En tant qu'équipe nationale de semi-conducteurs établie conjointement par le gouvernement japonais et plusieurs sociétés bien connues, Rapidus vise à réaliser la production de masse de puces de processus avancées de 2 nm d'ici 2027.
Le 18 juillet, le président de Rapidtus, Atsuyoshi Koike, a dévoilé un prototype de plaquette 2 nm et a annoncé son intention de fournir le dernier kit de conception de processus (PDK) aux clients potentiels d'ici la fin de mars 2026, leur permettant d'évaluer et de discuter de la coopération.Il est rapporté qu'environ 30 à 40 entreprises s'engagent activement avec Rapidus.
Pour atteindre l'objectif de production de masse en 2027, Rapidus estime qu'il aura besoin d'environ 5 billions de yens de financement.Le ministère japonais de l’économie, du commerce et de l’industrie et de Nedo a promis environ 1,72 billion de yens en soutien, avec un investissement total allant jusqu'à 3,6 billions de yens sur dix ans.Cependant, il y a toujours un écart de financement de plus de 3 billions de yens.En plus de Fujifilm, des entreprises et des institutions telles que Fujitsu, Sumitomo Mitsui Banking Corporation, Mizuho Bank, la Development Bank of Japan et Honda ont tous exprimé des intentions d'investissement claires.
Lors de l'annonce du 6 août de ses bénéfices trimestriels de l'exercice 2025, le président de Fujifilm, Teiichi, Goto, a noté que la division des matériaux de semi-conducteurs de la société a conduit le bénéfice d'exploitation à 75,2 milliards de yens ce trimestre, contribuant au soutien continu de la fabrication avancée intérieure.Goto a également exprimé une vision très positive des progrès de Rapitus, affirmant qu'il a hâte de fournir un soutien étroit aux clients dans la conduite rapide des matériaux de R&D et des essais et des erreurs, favorisant ainsi le renforcement de la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs du Japon.