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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2231LT1G

Fabricant Modèle de produit:
MMUN2231LT1G
Fabricant / marque
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Partie de la description:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Livret des spécifications:
MMUN2231LT1G.pdf
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme RoHS
Etat du stock:
Nouvel original, stock 22149 disponible.
Modèle ECAD:
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modèle de produit MMUN2231LT1G
Fabricant / marque AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Quantité en stock 22149 pcs Stock
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé
La description TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS: Sans plomb / conforme RoHS
RFQ MMUN2231LT1G Fiches Techniques MMUN2231LT1G Détails PDF
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 246mW
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms MMUN2231LT1GOSDKR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MMUN22**L

Emballage

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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, nous assurerons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont de nouvelles fiches techniques originales.
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