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Cypress Semiconductor
CY7C1371D-133BGCT ImageAgrandir l'image
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CY7C1371D-133BGCT

Fabricant Modèle de produit:
CY7C1371D-133BGCT
Fabricant / marque
Cypress Semiconductor
Partie de la description:
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Livret des spécifications:
CY7C1371D-133BGCT.pdf
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock:
Nouvel original, stock 500 disponible.
Modèle ECAD:
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modèle de produit CY7C1371D-133BGCT
Fabricant / marque Cypress Semiconductor
Quantité en stock 500 pcs Stock
Catégorie Circuits intégrés (ci) > Mémoire
La description IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
État sans plomb / État RoHS: Contient du plomb / RoHS non conforme
RFQ CY7C1371D-133BGCT Fiches Techniques CY7C1371D-133BGCT Détails PDF
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 3.135 V ~ 3.6 V
La technologie SRAM - Synchronous
Package composant fournisseur 119-PBGA (14x22)
Séries NoBL™
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 119-BGA
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 18Mb (512K x 36)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire SRAM
Description détaillée SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 6.5ns 119-PBGA (14x22)
Fréquence d'horloge 133MHz
Numéro de pièce de base CY7C1371
Temps d'accès 6.5ns

Emballage

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Tous les produits seront emballés dans un sac anti-statique. Livré avec protection antistatique ESD.
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