Le CY7C1512V18-250BZC est une mémoire SRAM synchronisée quasi-duale (QDR) II haute performance, conçue par Cypress Semiconductor, offrant des solutions de mémoire avancées pour des applications électroniques exigeantes. Ce dispositif mémoire volatile de 72 Mb fournit des performances exceptionnelles avec une fréquence d’horloge de 250 MHz et une interface mémoire parallèle, le rendant idéal pour des besoins de traitement et de stockage de données à haute vitesse.
Conçu dans un boîtier sophistiqué 165-FBGA (15x17), la puce mémoire est spécialement optimisée pour des applications en montage en surface et fonctionne de manière fiable dans une plage de températures de 0°C à 70°C. L’architecture mémoire est configurée en 4M x 18, offrant des capacités de stockage flexibles avec une gestion précise de la mémoire.
L’appareil fonctionne avec une tension d’alimentation allant de 1,7 V à 1,9 V, ce qui garantit une consommation électrique efficace et des performances stables. Sa technologie SRAM QDR II permet des opérations de lecture et d’écriture simultanées, améliorant considérablement le débit de données et minimisant les goulets d’étranglement dans les systèmes électroniques complexes.
Parmi ses principaux avantages figurent une opération synchrone à haute vitesse, une interface mémoire parallèle robuste et une conception résistante, adaptée aux applications nécessitant un accès rapide aux données et un traitement performant. La puce mémoire est particulièrement adaptée aux infrastructures de télécommunications, équipements réseau, systèmes de traitement du signal et plates-formes de calcul haute performance.
Les modèles équivalents ou alternatifs possibles peuvent inclure des dispositifs SRAM QDR II similaires fabriqués par Cypress Semiconductor, comme les séries CY7C1515V18 ou CY7C1510V18. Toutefois, la compatibilité spécifique et les caractéristiques de performance doivent être soigneusement évaluées pour chaque remplacement potentiel.
Le produit est livré en version boîte bobine (tray) et possède un niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) de 3, indiquant des exigences particulières en matière de manipulation et de stockage pour maintenir des performances optimales. Notez que le dispositif n’est pas conforme à la directive RoHS, car il contient du plomb, ce qui peut limiter son utilisation dans certains environnements de fabrication électronique réglementés.
CY7C1512V18-250BZC Attributs techniques clés
Le CY7C1512V18-250BZC est une mémoire SRAM synchronisée de haute performance avec interface Quad Data Rate II (QDR II). Il dispose d'une capacité de 72Mb (4M x 18), d'une fréquence d'horloge maximale de 250 MHz, et fonctionne dans une plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V. Conçu pour des systèmes nécessitant une accès rapide aux données, cet IC offre une gestion efficace de gros volumes de mémoire, idéal pour les applications informatiques avancées et les télécommunications où la rapidité est essentielle.
CY7C1512V18-250BZC Taille d'emballage
Le composant est livré dans un boîtier FBGA de 165 broches, de configuration 15x17 mm. Sa conception compacte permet une intégration facile sur carte mère, avec une structure adaptée aux dispositifs montés en surface, assurant une stabilité thermique et électrique optimale dans les applications industrielles et professionnelles.
CY7C1512V18-250BZC Application
Ce mémoire SRAM synchronisé QDR II est conçu pour répondre aux besoins des systèmes haute performance, notamment dans le domaine de l'informatique avancée, des centres de données, des équipements de télécommunications, et des applications où une transmission de données rapide et une faible latence sont cruciales pour le bon fonctionnement du système.
CY7C1512V18-250BZC Caractéristiques
Le CY7C1512V18-250BZC possède une interface synchronisée QDR II bidirectionnelle, permettant un accès en lecture et écriture simultanés avec une grande rapidité. Avec une capacité mémoire de 72Mb, il gère efficacement de gros volumes de données tout en assurant une transmission fluide grâce à sa fréquence d'horloge élevée. Sa conception robuste garantit une performance fiable dans des environnements exigeants.
CY7C1512V18-250BZC Fonctionnalités de qualité et de sécurité
Ce composant bénéficie d'un niveau de sensibilité à l'humidité MSL 3, avec une durée de manutention recommandée de 168 heures. Il est conforme à la réglementation RoHS, contenant du plomb, ce qui limite son utilisation dans certains environnements en raison des restrictions environnementales, assurant néanmoins conformité pour les applications adéquates.
CY7C1512V18-250BZC Compatibilité
Le CY7C1512V18-250BZC est conçu pour une fixation en montage en surface, compatible avec une large gamme de systèmes nécessitant une interface mémoire à haute vitesse. Son architecture est adaptée pour l’intégration dans des circuits intégrés de haute performance, garantissant une compatibilité optimale avec des plateformes exigeantes.
CY7C1512V18-250BZC Fiche technique PDF
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