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International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRF1010NPBF

En stock 1000 pcs Prix ​​de référence (en dollars américains)
100+
$0.80
2000+
$0.754
Fabricant Modèle de produit:
IRF1010NPBF
Fabricant / marque
International Rectifier (Infineon Technologies)
Partie de la description:
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Livret des spécifications:
IRF1010NPBF.pdf
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme RoHS
Etat du stock:
Nouvel original, stock 1000 disponible.
Modèle ECAD:
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modèle de produit IRF1010NPBF
Fabricant / marque International Rectifier (Infineon Technologies)
Quantité en stock 1000 pcs Stock
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single
La description MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS: Sans plomb / conforme RoHS
RFQ IRF1010NPBF Fiches Techniques IRF1010NPBF Détails PDF
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms *IRF1010NPBF
SP001563032
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V
Description détaillée N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)

Emballage

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