Le CSD87330Q3D est un transistor de puissance MOSFET à canal N haute performance, développé par Texas Instruments, faisant partie de leur série avancée NexFET. Ce dispositif semi-conducteur sophistiqué est conçu pour une gestion robuste de l’énergie et des applications de commutation électronique efficaces, notamment dans des environnements thermiques et électriques exigeants.
Conçu comme un MOSFET à canal N double dans un boîtier compact 8-LSON (3,3 x 3,3 mm) en montage en surface, ce transistor offre des caractéristiques électriques exceptionnelles. Il peut supporter des courants drain continus jusqu’à 20A avec une tension drain-source maximale de 30V, le rendant idéal pour des circuits électroniques à haute puissance nécessitant un contrôle précis et efficace de l’énergie.
L’appareil affiche une stabilité thermique remarquable, fonctionnant de manière fiable dans une gamme de températures étendue de -55°C à 150°C. Sa fonction de porte à niveau logique garantit des performances optimales avec des signaux de commande à faible voltage, tout en conservant une charge de porte relativement faible de 5,8 nC à 4,5V. La tension de seuil de porte maximale de 2,1V permet une intégration polyvalente dans divers systèmes électroniques.
Parmi ses principaux avantages, on trouve sa faible résistance on, sa haute efficacité de commutation et sa conception mécanique robuste. La capacité de gestion de puissance du MOSFET de 6W et son packaging avancé en font un composant idéal pour des applications dans l’électronique automobile, les alimentations, le contrôle de moteurs et les équipements industriels où la taille compacte et la fiabilité sont essentielles.
Les modèles alternatifs équivalents dans la série NexFET de Texas Instruments incluent le CSD87333, le CSD87336 et le CSD87338, qui offrent des spécifications électriques et mécaniques similaires, avec de légères variations en termes de capacité de courant et de tension.
L’appareil est conforme à la norme RoHS, ce qui garantit sa compatibilité environnementale, et il est disponible en emballage bande et bobine pour un montage en surface pratique, adapté aux processus de fabrication en grande série.
CSD87330Q3D Attributs techniques clés
MOSFET à canal N 2N-CH 30V 20A en boîtier 8SON. Montage en surface. Gate à niveau logique.
CSD87330Q3D Taille d'emballage
Type : Ruban et Reel (TR). Matériau : 8-LSON (3,3 x 3,3 mm). Configuration des broches : 2 canaux N (demi-pont). Caractéristiques thermiques : température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C (TJ). Propriétés électriques : tension drain-source (Vdss) de 30 V.
CSD87330Q3D Application
Convient à une variété d'applications électroniques, notamment la commutation et l'amplification dans les dispositifs informatiques et de réseau.
CSD87330Q3D Caractéristiques
Le CSD87330Q3D de Luminary Micro/Texas Instruments est un MOSFET à double canal N pour puissance, offrant une grande efficacité et une forte densité de puissance. Il comporte une tension drain-source maximale de 30 V et un courant drain continu de 20 A dans une plage de température de -55 °C à 150 °C. La charge de grille à tension maximale (Qg) est de 5,8 nC à 4,5 V, permettant une réponse rapide adaptée à la commutation haute vitesse. La capacité d'entrée (Ciss) atteint 900 pF, garantissant une faible dissipation d'énergie et une meilleure réponse en fréquence. Grâce à une technologie avancée, ce composant est conçu pour minimiser la résistance en conduction en état on et optimiser la charge de grille, réduisant pertes lors de commutation et conduction, idéal pour les systèmes de gestion de puissance en demi-pont.
CSD87330Q3D Fonctionnalités de qualité et de sécurité
Fabriqué selon des contrôles qualité stricts pour assurer une haute fiabilité et performance. Conforme aux normes RoHS, à vérifier.
CSD87330Q3D Compatibilité
Compatible avec la technologie de montage en surface et adapté à des environnements à haute température grâce à ses qualités thermiques robustes.
CSD87330Q3D Fiche technique PDF
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