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Maxim Integrated
DS1230Y-100+ ImageAgrandir l'image
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DS1230Y-100+

Fabricant Numéro d'article:
DS1230Y-100+
Fabricant / marque
Maxim Integrated
Partie de la description:
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Feuilles de données:
DS1230Y-100+.pdf
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme RoHS
Etat du stock:
Nouvel original, stock 2899 disponible.
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Numéro d'article DS1230Y-100+
Fabricant / marque Maxim Integrated
Quantité en stock 2899 pcs Stock
Catégorie Circuits intégrés (ci) > Mémoire
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS: Sans plomb / conforme RoHS
RFQ DS1230Y-100+ Fiches Techniques DS1230Y-100+ Détails PDF
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP
Séries -
Emballage Tube
Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Autres noms DS1230Y100
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire NVSRAM
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-EDIP
Numéro de pièce de base DS1230Y
Temps d'accès 100ns

Emballage

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Tous les produits seront emballés dans un sac anti-statique. Livré avec protection antistatique ESD.
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