Le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT est un circuit intégré (CI) fabriqué par Micron Technology. Il appartient à la catégorie mémoire, notamment avec une mémoire NAND FLASH et LPDRAM pour mobile.
Les principales caractéristiques de ce produit incluent sa conception sans plomb et conforme à la directive RoHS, son encapsulation en BGA (Ball Grid Array), ainsi qu'une plage de température de fonctionnement étendue de -40 °C à 85 °C. Il fonctionne sous une tension d'alimentation unique de 1,7 V à 1,95 V et dispose d'une interface mémoire parallèle avec une vitesse maximale de 166 MHz.
Le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT apporte une solution compacte et polyvalente pour répondre aux défis de conception, utilisable dans diverses applications. Il combine 2 Gb (128 Mo x 16) de mémoire NAND flash et 1 Gb (32 Mo x 32) de LPDRAM (mémoire dynamique à double débit à faible consommation d'énergie) dans un seul boîtier.
Les principaux avantages de ce produit incluent sa mémoire non volatile, ses performances à haute vitesse et sa faible consommation d’énergie, ce qui le rend idéal pour les appareils mobiles, les systèmes embarqués, et d’autres applications où les besoins en mémoire et en efficacité énergétique sont cruciaux.
Le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT est compatible avec divers systèmes mobiles et embarqués nécessitant des solutions mémoire à haute densité et à basse consommation. Il peut être utilisé dans un large éventail d’applications telles que les smartphones, tablettes, objets connectés, automatisation industrielle et électronique automobile.
En ce qui concerne les modèles équivalents ou alternatifs, il existe plusieurs autres circuits intégrés de mémoire NAND flash et LPDRAM disponibles chez Micron Technology qui peuvent proposer des spécifications et fonctionnalités similaires. Parmi ces exemples, on trouve le MT29C4G48MAHRAXP-IT, le MT29C4G48MAKLCUJ-IT et le MT29C8G48MAELCP-IT, offrant différentes capacités et options d’emballage.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Attributs techniques clés
Le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT de Micron Technology combine la mémoire FLASH NAND et la mémoire LPDRAM pour une performance optimale. Il dispose d’un emballage BGA (Very Fine Ball Grid Array) compact, facilitant une conception robuste. La capacité mémoire totalise 2 Gb (128 M x 16) NAND et 1 Gb (32 M x 32) DRAM basse consommation. L’interface mémoire fonctionne à une vitesse de 166 MHz, assurant un transfert de données haut débit. La double mémoire permet un multitâche fluide et une performance améliorée de l’appareil.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Taille d'emballage
Le composant est encapsulé en BGA et livré en boîte (Tray). La plage de température de fonctionnement va de -40°C à 85°C.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Application
Conçu pour une utilisation dans des applications mobiles et intégrées, le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT est idéal pour le stockage et la gestion de mémoire haute performance dans divers dispositifs embarqués et mobiles.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Caractéristiques
Le MT29C2G48MAKLCJI-6 IT intègre des technologies NAND Flash et LPDRAM Mobile, offrant une capacité élevée dans un format compact. Son packaging BGA très fin facilite le design compact et robuste. La mémoire fonctionne à 166 MHz, avec une interface parallèle haute vitesse. La présence d’une configuration mémoire double optimise le multitâche et la performance globale.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Fonctionnalités de qualité et de sécurité
Sans plomb et conforme à la norme RoHS, garantissant un respect de l’environnement et une qualité élevée. Le composant bénéficie d’une protection avancée grâce à un design d’emballage sophistiqué et l’utilisation de matériaux de haute technologie.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Compatibilité
Compatible avec une large gamme de dispositifs mobiles et de systèmes embarqués nécessitant une interface mémoire parallèle haute vitesse, assurant une intégration facile dans divers projets électroniques.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Fiche technique PDF
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