Le circuit intégré spécialisé Samsung Semiconductor K4X1G163PD-DGC3 est conçu pour des applications mémoire haute performance, ciblant notamment les systèmes électroniques avancés nécessitant des solutions de stockage de données fiables et efficaces. Ce composant semi-conducteur en boîtier BGA (Ball Grid Array) représente un module mémoire sophistiqué, élaboré pour répondre aux exigences technologiques exigeantes dans des environnements électroniques complexes.
En tant que circuit intégré spécialisé, l’appareil est principalement destiné à des applications nécessitant des solutions mémoire compactes et à haute densité, telles que les équipements de télécommunications, les systèmes informatiques industriels, l’électronique automobile et les dispositifs de consommation avancés. L'encapsulation BGA assure une gestion thermique supérieure et une stabilité mécanique optimale, garantissant des performances robustes même dans des conditions opérationnelles difficiles.
L’architecture technique de ce composant permet une gestion précise des données et un traitement rapide de l’information, ce qui le rend particulièrement adapté aux systèmes exigeant un accès mémoire rapide et une grande fiabilité. Sa forme compacte facilite l’utilisation optimale de l’espace dans des conceptions électroniques très densément intégrées, répondant aux enjeux de miniaturisation et d’optimisation des performances.
Les principaux avantages de ce module mémoire Samsung Semiconductor incluent sa configuration à haute densité, l’intégrité fiable du signal et ses performances thermiques avancées. Le dispositif est conçu pour offrir une performance constante dans divers environnements d’exploitation, avec une durabilité accrue et une interférence de signal minimale.
Bien que les modèles alternatifs ou équivalents précis ne soient pas détaillés dans les spécifications fournies, Samsung Semiconductor propose généralement une gamme de solutions mémoire comparables au sein de ses lignes de circuits intégrés. Il est recommandé aux utilisateurs potentiels de consulter le catalogue complet de produits Samsung pour obtenir des informations précises sur les modèles équivalents et les comparaisons techniques détaillées.
La compatibilité de ce produit est étendue, supportant diverses architectures et exigences de conception de systèmes électroniques. Son caractère spécialisé en fait une solution particulièrement précieuse pour des applications exigeant des solutions mémoire compactes, haute performance, avec des capacités avancées de gestion du signal.
Avec une disponibilité de 3 858 unités, ce circuit intégré offre aux fabricants et aux concepteurs de systèmes une solution mémoire fiable et évolutive, adaptée à des applications technologiques avancées dans plusieurs secteurs industriels.
K4X1G163PD-DGC3 Attributs techniques clés
Capacité de 1 Gb, mémoire DDR3 SDRAM, voltage de fonctionnement de 1,5 V, classe de vitesse PC3-10600
K4X1G163PD-DGC3 Taille d'emballage
Type Ball Grid Array (BGA), matériaux de semi-conducteurs de haute qualité conforme aux normes Samsung, taille d'encapsulation codée 867 indiquant des dimensions spécifiques, configuration à 96 billes assurant une connectivité électrique optimale, caractéristiques thermiques efficaces pour une dissipation de chaleur adaptée aux systèmes haute performance, propriétés électriques à faible consommation et transfert de données à haute vitesse
K4X1G163PD-DGC3 Application
Conçu principalement pour les systèmes informatiques haute performance, serveurs et appareils électroniques grand public avancés nécessitant un accès mémoire rapide et de grandes capacités de stockage. Idéal pour l'intégration dans des ordinateurs portables, ordinateurs de bureau et équipements réseau où la fiabilité et la rapidité sont essentielles.
K4X1G163PD-DGC3 Caractéristiques
Ce module Samsung K4X1G163PD-DGC3 offre une mémoire DDR3 SDRAM haute densité de 1 Gb avec une intégrité du signal améliorée grâce à son emballage BGA avancé. Il supporte des débits élevés jusqu’à 1333 Mbps, permettant un traitement efficace et rapide des données. Fonctionnant à voltage réduit de 1,5 V, il contribue à réaliser des économies d’énergie et à limiter la génération de chaleur. Doté de capacités avancées de correction d’erreurs et de fidélité des données, il est adapté aux tâches intensives de calcul. Le design encapsulé en BGA améliore la stabilité mécanique et la performance électrique en réduisant l’inductance et la résistance par rapport aux méthodes d’emballage traditionnelles. La conformité avec les normes JEDEC assure une compatibilité étendue avec divers architectures matérielles.
K4X1G163PD-DGC3 Fonctionnalités de qualité et de sécurité
Fabriqué selon les processus rigoureux de contrôle qualité de Samsung, ce produit respecte les réglementations internationales de sécurité et fiabilité, notamment la conformité RoHS et diverses certifications ISO. Il intègre une protection thermique intégrée pour prévenir la surchauffe, réduisant ainsi le risque de défaillance en cas de charge élevée. Des protocoles de test approfondis garantissent sa durabilité face aux stresses mécaniques et aux surtensions électriques, assurant une stabilité et des performances durables dans les applications critiques. Conçu pour fonctionner sur une large plage de températures, il assure une robustesse en diverses conditions environnementales.
K4X1G163PD-DGC3 Compatibilité
Entièrement compatible avec les contrôleurs de mémoire DDR3 standard et supporte une intégration fluide avec une large gamme de cartes mère et de plateformes système. Fonctionne efficacement dans les systèmes utilisant des modules mémoire PC3-10600 et conforme aux normes JEDEC pour les circuits intégrés DDR3, garantissant une interopérabilité avec de nombreux fabricants et configurations d’appareils.
K4X1G163PD-DGC3 Fiche technique PDF
Notre site fournit la fiche technique la plus autorisée et à jour pour le Samsung K4X1G163PD-DGC3. Nous recommandons vivement de télécharger la fiche technique depuis la page produit actuelle pour accéder aux spécifications techniques complètes, aux notices d’utilisation et aux recommandations de conception facilitant l’utilisation optimale et l’intégration de ce composant mémoire.
Distributeur de qualité
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