Le CY7C136AE-55NXI est un circuit intégré haute performance développé par Cypress Semiconductor, spécialement conçu comme une solution de mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) à double port pour des applications électroniques sophistiquées nécessitant une gestion robuste de la mémoire et un traitement efficace des données.
Cette puce mémoire spécialisée offre une capacité compacte de 16 Kbit, organisée en 2K x 8, ce qui permet une capacité de stockage polyvalente pour des systèmes électroniques complexes. Conçue avec une technologie avancée de SRAM asynchrone à double port, le dispositif permet des opérations de lecture et d'écriture simultanées, améliorant ainsi les performances globales du système et l'efficacité du traitement des données.
Conçu pour des environnements opérationnels exigeants, le circuit intégré fait preuve d'une fiabilité exceptionnelle avec une plage de température de fonctionnement allant de -40 °C à 85 °C, le rendant adapté aux applications électroniques industrielles, automobiles et commerciales. Son boîtier à montage en surface (52-PQFP) facilite l’intégration dans des conceptions électroniques compactes tout en assurant une stabilité mécanique robuste.
La puce mémoire fonctionne à une tension d’alimentation standard comprise entre 4,5 V et 5,5 V, offrant des performances constantes avec un temps d’accès rapide de 55 ns et un cycle d’écriture. Cette réactivité rapide la rend idéale pour des applications nécessitant une récupération et un stockage de données rapides, telles que les systèmes embarqués, les équipements de télécommunication et les plates-formes informatiques avancées.
Parmi ses principaux avantages figure son architecture à double port, permettant un accès indépendant aux emplacements mémoire, ce qui améliore la réactivité du système et réduit les goulots d’étranglement potentiels. L’interface mémoire parallèle garantit une connectivité simple et une compatibilité avec diverses architectures électroniques.
Des modèles alternatifs équivalents sur le marché peuvent inclure des solutions SRAM à double port similaires de fabricants tels que Texas Instruments, Microchip et Alliance Memory, bien que la série CY7C136 offre des caractéristiques de performance uniques.
La conformité RoHS du dispositif renforce son engagement en faveur de la durabilité environnementale et du respect des normes modernes de fabrication électronique, faisant de cette solution un choix attrayant pour les ingénieurs à la recherche de solutions mémoire fiables et haute performance.
CY7C136AE-55NXI Attributs techniques clés
La mémoire de 16 Kbit, avec un temps d'accès de 55 ns, est fournie dans un boîtier PQFP de 52 broches (10x10 mm). Elle permet un accès rapide pour le stockage temporaire de données dans des systèmes numériques, supportant les interfaces mémoire parallèles pour des applications nécessitant une performance élevée et une grande fiabilité.
CY7C136AE-55NXI Taille d'emballage
Emballage en surface montée, en vrac, utilisant un boîtier plastique Quad Flat (PQFP). Sa taille est de 10 mm x 10 mm avec 52 broches, configurées pour une connectivité d'interface parallèle. La gestion thermique inclut une plage de température de fonctionnement de -40°C à 85°C. La tension d'alimentation se situe entre 4,5 V et 5,5 V, garantissant une consommation énergétique optimale.
CY7C136AE-55NXI Application
Ce composant SRAM est idéal pour la mise en tampon de données à haute vitesse et le stockage temporaire dans des systèmes numériques. Adapté aux systèmes embarqués, aux équipements de communication, à l’électronique grand public et aux systèmes de contrôle, il répond aux exigences des architectures mémoire parallèles rapides et fiables.
CY7C136AE-55NXI Caractéristiques
Le CY7C136AE-55NXI est une SRAM à double port asynchrone de 16 Kbit, organisée en 2K x 8 bits, offrant un accès rapide avec un cycle de 55 ns pour l’écriture de mots et de pages. Son interface parallèle permet des opérations de lecture/écriture simultanées depuis deux ports indépendants, améliorant ainsi le débit de données. Son boîtier PQFP facilite l’intégration sur PCB modernes tout en économisant de l’espace. Il supporte une large gamme de températures (-40°C à 85°C) pour une utilisation en environnement industriel ou grand public, tout en étant alimenté en faible tension (4,5V à 5,5V). La technologie SRAM garantit une conservation volatile des données avec des temps d’accès rapides, sans cycle de rafraîchissement comme dans la DRAM.
CY7C136AE-55NXI Fonctionnalités de qualité et de sécurité
Ce produit respecte les normes RoHS en vigueur, sous réserve de vérification d’inventaire, assurant une réduction des substances dangereuses et une conformité environnementale. Cypress Semiconductor garantit un processus de fabrication rigoureux aligné sur des standards internationaux de qualité. La compatibilité avec des températures d’exploitation étendues assure une fiabilité accrue en conditions difficiles. Le boîtier PQFP de 52 broches offre une robustesse mécanique et une excellente dissipation thermique pour prévenir tout risque thermique.
CY7C136AE-55NXI Compatibilité
Le CY7C136AE-55NXI est entièrement compatible avec les systèmes nécessitant des modules mémoire SRAM parallèles dotés d’une interface QFP 52 broches. Il s’intègre sans problème avec des microcontrôleurs, FPGAs et ASICs conçus pour des architectures mémoire double port et asynchrones. Ses spécifications électriques et de brochage répondent aux normes industrielles pour l’expansion mémoire dans les systèmes embarqués et de communication.
CY7C136AE-55NXI Fiche technique PDF
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